一种新型存储器件—磁电存储器
摘要：磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进行了展望。关键词：磁电存储器；磁隧道结；自旋电子管
１ 引言
随着人们对各种磁电材料特性的深入研究，新型存储器—磁电存储器以其所特有的精巧设计和便于操作的优点，已经成为快速存储器的最佳选择。半导体存储器的控制栅和悬浮金属栅之间存在着库仑电荷，它们之间较强的库仑斥力使得两个栅必须用一层很厚的绝缘层隔离起来才能保证泄露电流降至最小，从而延长电荷在释放或存储时通过氧化层势垒的时间，增加读取和存储功耗。磁电存储器的这种工作机理不仅提高了存储器的速度、可靠性，降低了功耗，而且在存储单元尺寸、存储速度方面也完全可以与ＤＲＡＭ相比拟。
磁电存储器根据其工作机制的不同，大致可以分为三类：混和铁磁－半导体结构，磁隧道结结构以及全金属自旋晶体管。目前研究最多的是自旋电子管、准自旋电子管存储器以及磁隧道结存储器。尽管以上几种结构存储器的工作机制在某种程度上均依赖于铁磁元件的磁化方向，但是在读取机制方面却存在着差异；其次，在生产高密度、低功耗、高速ＲＡＭ的难易程度以及需要解决的技术问题等方面存在着不同。
２ 磁电存储器的基本工作原理
磁电存储器中的数据存储是通过直接附着于铁磁薄膜上具有电感耦合效应的导线来完成的。当电流脉冲通过导线时，将会在导线近表面形成一个平行于导线平面的磁场，此时电流的大小以其所耦合的磁场大于转换磁场为标准，从而满足其状态设置为１或０的需要。由于对二维序列的存储器要采用写数据线的二维排布，因此，分别给字线和位线施加一定大小的脉冲电流，即可改变交汇处存储单元里的磁化状态以实现数据的存储，同时改变字线电流方向即可存入相反的数据（如图１）。由于字线电流过大会对字线下方所有存储单元产生影响，因此通常采用二分之一电流寻址方式（即字线电流和位线电流分别为ＩＳ ／２，其中Ｉｓ为转换存储器状态所需的电流值）。
２．１ 磁隧道结存储器
磁隧道结的基本结构如图２所示，其中上下两层为铁磁材料ＣｏＦｅ、Ｃｏ或ＮｉＦｅ，中间是绝缘势垒层Ａｌ２Ｏ３。这种结构的器件在电偏置条件下，电子电流可以通过隧穿效应穿过势垒层，而此时电子电流的大小依赖于铁磁薄膜的磁化方向，因此它是一种磁阻器件。势垒上的偏置电压不同，器件阻值也不同。当偏置电压较低时，电阻为欧姆量级，随着偏置电压的逐渐升高，该阻值将快速下降。这种存储器的主要特点是底部铁磁层的磁化方向始终不变，而存储器则主要是根据顶部铁磁层磁化方向的不同来实现信息存储的；由于在读取信息时，读取信号线上的电流会有一部分垂直流过夹层，因此根据电阻的变化或者电压的变化（与标准电阻或电压相比）就可获得数据。
２．２ 自旋电子管存储器
自旋电子管的具体结构与磁隧道结存储器的结构十分类似，也是一种夹层结构，上下两层为铁磁材料ＣｏＦｅ、Ｃｏ或ＮｉＦｅ，中间是导体层Ｃｕ。只是在顶部铁磁层之上还有一层反铁磁层（ＭｎＯ或者ＭｎＦｅ），它的作用是维持顶部铁磁层的磁化方向不发生改变。因此，顶部铁磁层又被称作固定层（ｐｉｎｎｅｄ ｌａｙｅｒ），而底部
[1] [2] [3]