低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
应用Monte Carlo方法模拟千电子伏低能束作用下,不同衬底上不同薄膜背散射电子发射. 应用Mott散射截面和Joy方法修正的Bethe方程描述和计算低能电子在固体中弹性和非弹性散射,引入边界方程,修正穿越薄膜与衬底界面的电子散射路径. 计算分析了薄膜背散射系数η随薄膜厚度D 的变化和规律,以及不同情况下η-D 线性区范围的分布及其定量结果 D max. 计算了背散射电子角分布和空间密度分布.
作 者： 谭震宇 夏曰源 作者单位： 谭震宇(山东大学电气工程学院,济南,250061)夏曰源(山东大学物理与微电子学院,济南,250100)
刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(7) 分类号： O4 关键词： 背散射电子 Monte Carlo方法,超薄膜